报告期内，公司共实现营业收入147,656.14万元，较去年同期减少18.46%；其中主营业务收入147,083.92万元，较去年同期减少18.51%；归属于上市公司股东的净利润32,311.63万元，较去年同期减少25.75%。

　　2023年以来，公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。

　　（1）IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品，由于2023年公司的主要下游光伏储能客户处于消化库存阶段，整体处于供大于求的状态。公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度，但受到报告期内光伏储能需求减弱的影响，整体IGBT产品的销售仍然呈现下滑状态。2023年公司的IGBT产品实现了销售收入2.66亿元，比去年同期下滑了33.97%，销售占比从去年的22.33%下降到今年的18.09%。公司预计2024年光伏需求会有所回暖、进而促进IGBT产品的销售回升，其他变频、小家电、汽车等领域的IGBT产品销售规模亦将进一步扩大。

　　（2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，受到的市场波动影响也较大。对于此，公司一方面持续加大研发投入，持续实现产品平台的升级与型号拓展；另一方面主动参与到市场价格竞争中，给客户提供更具性价比的产品方案，并加强与客户的沟通与服务，进一步提高客户的黏性，促进在重点领域的销售规模和市场份额扩大。如：在新能源汽车领域，公司已经覆盖比亚迪（002594）汽车的全系列车型，在国产供应商份额中处于领先地位并不断放量，与联合电子、伯特利（603596）等tier1厂商实现深入合作，导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际tier1厂商；在AI服务器领域，公司已经在行业头部客户实现批量销售，并将进一步放大规模；其他如视源股份（002841）等家电客户、明纬电子等工控客户，公司持续实现销售份额的提升；大疆无人机、卧龙电驱（600580）、商络电子（300975）等其他新兴应用领域客户，公司亦在不断加强深入合作。公司的SGT-MOSFET产品2023年实现了销售收入5.46亿元，比去年下降了19.80%，主要系受到之前产品价格波动的影响，但产品的整体销量上保持了稳健向上趋势；销售占比相对稳定，为37.11%。随着公司在汽车电子、AI服务器、无人机等下游新兴应用领域客户销售规模的进一步扩大，预计公司2024年SGT产品的销售规模将得以进一步提升。

　　（3）SJ-MOSFET产品方面，2023年实现销售收入1.84亿元，相比去年减少了13.56%，销售占比从去年同期的11.83%提升至12.52%。公司4代SJMOS产品系列型号齐全，已经开始批量交付，2024年公司将全面开展SJMOS产品从3代到4代的替换，并加大对于AI服务器和数据中心、汽车OBC、充电桩等领域的推广，以进一步促进SJMOS产品的销售，成为公司新的业绩增长点。

　　（4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，面临的客户群体众多，应用模式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，但市场波动对Trench-MOSFET的影响也大，公司积极采取了让利保市场的策略，并进一步促进了销售规模。2023年TrenchMOS产品实现销售收入4.54亿，相比去年下降了9.34%，但销售数量和市占率获得显著提升，其销售占比从2022年的27.79%提升至2023年的30.84%。

　　2023年公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极挖掘原有市场客户的合作机会，通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积极探索新的下游应用领域，在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略互补深度合作，以获取更大的市场份额提升。

　　汽车电子领域：公司目前已经推出200款车规级MOSFET产品。2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，持续扩大销售规模，实现了多款产品的大批量供应；同时对联合电子、伯特利等国内头部Tier1持续规模出货，截至目前，公司已经获得联合电子20多个汽车电子项目的定点通知书，合作时间从2024年持续到2029年。公司的产品涉及车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、驾驶辅助域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多，出货数量最大的功率器件设计公司。未来公司在汽车电子产品的整体销售规模和占比预计得以快速提升。

　　光伏储能领域：相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，报告期内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源（300274）、固德威、德业股份（605117）、上能电气（300827）、锦浪科技（300763）、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。

　　AI服务器领域：2023年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力，助推AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已经在AI算力领域头部客户实现批量销售，且将进一步快速增长。

　　2023年度，公司实现研发投入8,731.42万元，占营业收入的比例为5.91%。截至目前，公司共有专利196项，其中发明专利86项（不含已到期专利）。2023年全年新增产品600余款。

　　1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V大饱和电流的中高频系列产品已经通过内部测试，正在进行客户端导入测试，产品交直流参数已经达到预期水平，正在同步做良率优化，同系列光伏逆变应用的业界最大电流TO-247Pus封装单管产品1200V160A产品正在进行客户应用验证，650V200A单管样品已完成直流参数验证，正在进行交流参数验证；

　　2）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V高短路能力低频系列产品已完成直流参数验证，正在做交流参数优化；

　　3）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的800V、1000V、1400V系列已完成直流参数验证，符合设计预期，正在进行交流参数验证；

　　5）具有不同反向恢复特性的600V和1200VFRD系列产品已经全部进入量产，其他电压平台正在开发流片中。

　　1）超结MOS（SJMOS）平台在8寸和12寸都已进入全面稳定量产，500V、600V、650V系列产品在高能效大功率电源、新能源汽车OBC、充电桩、工业变频、家电、消费类电子等市场都已持续批量出货；

　　2）在现有量产的超结平台上，针对600V和650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻（Rsp）优化，相较于产品，器件Rsp进一步降低12%，该系列新增加产品型号超过30款，已经进入量产阶段；

　　3）搭载快速恢复体二极管的800V深沟槽SJMOS平台140mΩ产品交直流参数已经达设计预期，器件Rsp相较于三代产品降低35%，产品正在进行良率提升和终端客户应用测试；

　　4）第五代SJMOS平台工程流片中，650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，目前已经通过1000小时以上可靠性考核，正在进行客户验证和良率提升。

　　1）针对车规应用的P沟道150VSGTMOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段；

　　2）具有业界最小单位元胞尺寸（CePitch）的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，正在持续进行同平台不同电流规格和封装外形产品拓展；

　　3）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，代表产品已完成车规认证，正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展；

　　4）上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用；

　　5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产，正在进行车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，产品主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用；

　　6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工程验证，产品正在进行可靠性评估，以100V产品为例：器件Rsp相较于同规格最优竞品小20%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低15%以上，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%，产品主要针对混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、AI服务器、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。

　　1）针对汽车应用，基于8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性P沟道60V~200V设计与工艺固化，系列产品全面量产，多款产品通过车规认证，后续会衍生开发P沟道30V~60V产品平台；

　　2）具有高元胞密度（0.75umCePitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台开发完成，以P40V为例，器件Rsp相较于上一代降低31%，系列产品全面量产并持续拓展规格型号；

　　3）具有超高元胞密度（0.55umCePitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工程开发中，正在进行成品级测试和可靠性考核评估；

　　4）应用于智能手机和智能可穿戴设备的具有超高元胞密度的12V~24VCSPMOS系列产品已完成工艺开发和终端客户评测；

　　6）12寸N沟道30V、40V全系列产品均已完成平台升级迭代，以N30V为例，Rsp相较于上一代降低16。